Реаксияи Bonded Silicon карбиди плитка
Афзалиятҳои реаксия бо карбиди кремний
1) Зичии паст.
2) Муқовимат ба зангзанӣ.
3) Муқовимат ба фарсудашавӣ.
4) Муқовимат ба оксидшавӣ.
5) Муқовимат ба абрешим.
6) Муқовимати хуби зарбаи гармӣ (аз ҳисоби коэффисиенти пасти васеъшавии гармӣ ва гармии баланд).
7) Қувваи аъло дар ҳарорати баланд.
8) Назорати хуби андозагирии шаклҳои мураккаб.
Маҳсулоти тобовар ба пӯшидан: плитаи карбиди кремний, хишти карбиди кремний, қубурҳо, конуси қубур, сиклон ва ғайра.
Мебели танӯр: Табақ, чӯб, ғилдирак, сопло, чӯби мудаввар, чӯби мураббаъ, чӯби сӯрох. Crucible, Sagger ва ғайра.
Дигарон: Соплоҳои десулфуризатсия
Истифодаи карбиди кремнийи реактивӣ:
Карбиди кремний бо реаксия як интихоби аълои мавод барои барномаҳои фарсудашавӣ ба монанди лайнерҳои қубурҳо, соплоҳо, шокҳои назорати ҷараён ва ҷузъҳои калонтари фарсуда дар истихроҷи маъдан ва инчунин дигар соҳаҳо собит шудааст.
Параметри асосӣ
| Хосиятҳо | Воҳидҳо | SiSiC/RBSIC |
| Зичии масса (SiC) | V01% | ≥85 |
| Зичии масса | г/см3 | 3.01 |
| Порозияи намоён | % | ＜0,1 |
| Модули шикастан дар 20 ℃ | Мпа | 250 |
| Модули шикастан дар 1200 ℃ | Мпа | 280 |
| Модули чандирӣ дар 20 ℃ | Gpa | 330 |
| Мушкилии шикаста | Мпа*м1/2 | 3.3 |
| Қобилияти гармидиҳӣ дар 1200 ℃ | wm-1.k-1 | 45 |
| Тавсеаи гармидиҳӣ дар 1200 ℃ | а × 10-6/℃ | 4.5 |
| Муқовимати зарбаи гармӣ дар 1200 ℃ | Хеле хуб | |
| Коэффисиенти радиатсияи гармӣ | <0,9 | |
| Ҳарорати максималии корӣ | ℃ | 1350 |
Андоза
мумкин аст мувофиқи талаботи муштариён фармоишгари.
Хизмат
Мо фармоишҳои фармоиширо қабул мекунем.
Агар шумо хоҳед, ки маълумоти бештари маҳсулотро бидонед, хуш омадед бо мо дар тамос шавед ва мо ба шумо маҳсулоти мувофиқ ва хидмати беҳтаринро пешкаш мекунем!
